从电子枪发射出来的具有一定能量(通常为10 – 30kev) 的电子束以1 – 2°的掠射角射到样品表面,那么,电子垂直于样品表面的动量分量很小,又受到库仑场的散射,所以电子束的透入深度仅1 – 2 个原子层, 因此RHEED 所反映的完全是样品表面的结构信息[(3见]图1) ,并且在研究晶体生长、吸附、表面缺陷等方面也取得了很大的进展[。4 ,5它] 是当今表面科学和原子级的人工合成材料工程中的强有力的原位分析与监控的手段。特别是在分子束(MBE) 外延技术中,利用RHEED 进行原位监测是一个重要手段。