中科院量子光学重点实验室
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GaN即氮化镓,属第三代半导体材料,六角纤锌矿结构。GaN 具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,是现在世界上人们最感兴趣的半导体材料之一。 GaN 即...

