GaN即氮化镓,属第三代半导体材料,六角纤锌矿结构
GaN即氮化镓,属第三代半导体材料,六角纤锌矿结构。GaN 具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,是现在世界上人们最感兴趣的半导体材料之一。 GaN 即...
冷原子与冷分子研究现状与趋势
来源:《科技中国》2018年第十一期pp.4-6 日期:2018-11-19 于笑潇1,杨涛2,王兵3,吴根1 (1.科技部高技术研究发展中心;2.西北大学;3.西安交通大学) 冷原子与冷分子对于研究量子信息、...
太赫兹(Tera Hertz,THz)
太赫兹(Tera Hertz,THz)是波动频率单位之一,又称为太赫,或太拉赫兹。等于1,000,000,000,000Hz,通常用于表示电磁波频率。 太赫兹是一种新的、有很多独特优点的辐射源;太赫兹技术是一个非...

