由于是借助光的能量促使水分子分解反应，因此后来将这一现象中 的氧化钛称作光触媒。 这种现象相当于将光能转变为化学能，以当时正值石油危机的背景，世人对寻找新能源的期待甚为殷切， 因此这一技术作为从水中提取氢的划时代方法受到了瞩目，但由于很难在短时间内提取大量的氢气，所以利用于新能源的开发终 究无法实现，因此在轰动一时后迅速降温。
1992年第一次二氧化钛光触媒国际研讨会在加拿大举行， 日本的研究机构发表许多关于光触媒的新观念，并提出 应用于氮氧化物净化的研究成果。二氧化钛相关的 专利数目亦最多，其它触媒关连技术则涵盖触媒调配的 制程、触媒构造、触媒担体、触媒固定法、触媒性能测 试等。以此为契机，光触媒应用于抗菌、防污、空气净 化等领域的相关研究急剧增加，从1971年至2000年6月 总共有10,717件光触媒的相关专利提出申请。二氧化钛光触媒的广泛应用，将为人们带来清洁的环境、健 康的身体。
长度的基本度量单位为米，10 -9 米称为纳 米(Nanometer; nm)。各种应用材料也将由微米逐渐进入纳米时代。 纳米材料由晶粒1~100nm大小的粒子所组成。粒径极为微细，具 有极大的比表面积，且随着粒径的减少，表面原子百分比提高。 由于在表面上存在大量原子配位不完全而引起高表面能的现象，表 面能量占全能量的比例大幅提高，使纳米材料在吸附、光吸收等方面具有新的特性。
光触媒是一种在光的照射下，自身不起变化，却可以促进化学反应的物质，就象植物的光合作用中的叶绿素。光触媒的材料多种多样，但是最为著名和研究最为彻底的是纳米二氧化钛。光触媒在太阳光的照射下能产生羟基自由基、超氧自由基等活性物种，因而具备抗菌、除臭、油污分解、防霉防藻、空气净化的作用。
光触媒的作用
抗菌性： 杀灭大肠杆菌、金黄色葡萄球菌、肺炎克雷伯氏菌、
绿脓杆菌、病毒等。
空气净化： 分解空气中有机化合物及有毒物质：苯、甲醛、氨、TVOC等。
除臭 ：去除香烟臭、垃圾臭、生活臭等恶臭。
防霉防藻： 防止发霉、防止藻类的产生, 防止水垢的附着。
防污自洁：分解油污,自清洁。
光触媒的特性
.安全性
作为食品药品添加剂，经过美国FDA认证，使用非常安全（需要说明的此处应该指微米及以上尺度的二氧化钛，其他材料的光触媒或是更小尺度的二氧化钛的安全性并未得到严格认证）。
.持久性
由于光触媒只是提供了反应的场所，它本身并不参与化学反应，所以它的作用效果是持久的（在存在大量矿物质的情况下，也存在钝化的可能。比如对硬水处理是可能发生碳酸钙等水垢沉积时作用效果会很快下降）。
光触媒于1967年被当时还是东京大学研究生的藤岛昭教授发现。 在一次试验中对放入水中的氧化钛单结晶进行了光线照射，结果 发现水被分解成了氧和氢。这一效果作为 “ 本多 · 藤岛效果 ” （Honda-Fujishima Effect）而闻名于世，该名称组合了藤岛教授 和当时他的指导教师—-东京工艺大学校长本多健一的名字。
由于是借助光的力量促进氧化分解反应，因此后来将这一现象中 的氧化钛称作光触媒。 这种现象相当于将光能转变为化学能，以 当时正值石油危机的背景，世人对寻找新能源的期待甚为殷切， 因此这一技术作为从水中提取氢的划时代方法受到了瞩目，但由 于很难在短时间内提取大量的氢气，所以利用于新能源的开发终 究无法实现，因此在轰动一时后迅速降温。
1992年第一次二氧化钛光触媒国际研讨会在加拿大举行， 日本的研究机构发表许多关于光触媒的新观念，并提出 应用于氮氧化物净化的研究成果。因此二氧化钛相关的 专利数目亦最多，其它触媒关连技术则涵盖触媒调配的 制程、触媒构造、触媒担体、触媒固定法、触媒性能测 试等。以此为契机，光触媒应用于抗菌、防污、空气净 化等领域的相关研究急剧增加，从1971年至2000年6月 总共有10,717件光触媒的相关专利提出申请。二氧化钛 TiO 2 光触媒的广泛应用，将为人们带来清洁的环境、健 康的身体。
物体之长度为10 -6 米称为微米(Micrometer; mm)，10 -9 米称为纳 米(Nanometer; nm)。各种应用材料也将由微米逐渐进入纳米时代。 纳米材料由晶粒1~100nm大小的粒子所组成。粒径极为微细，具 有极大的比表面积，且随着粒径的减少，表面原子百分比提高。 在表面上由于大量原子配位的不完全而引起高表面能的现象。表 面能量占全能量的比例大幅提高，使纳米材料具吸附、光吸收、 熔点变化等特性。利用纳米超微粒子技术与特性，研发出材料本身在反应时完全不 参与作用，却可促进并提高反应能量，以催化目标反应的触媒技 术已运用于环境清洁作用上，促使有害或有毒物质加速反应成为 稳定而无害物质，达到环保效果。
纳米二氧化钛光触媒是一种在光的照射下，自身不起变化，却可以促进化学反应的物质，就象植物的光合作用中的叶绿素。TiO2光触媒在太阳光或室内荧光灯的照射下能产生抗菌、除臭、油污分解、防霉防藻、空气净化的作用。
光触媒的光催化反应
抗菌性： 杀灭大肠杆菌、金黄色葡萄球菌、肺炎克雷伯氏菌、
绿脓杆菌、病毒等。
空气净化： 分解空气中有机化合物及有毒物质：苯、甲醛、氨、TVOC等。
除臭 ：去除香烟臭、垃圾臭、生活臭等恶臭。
防霉防藻： 防止发霉、防止藻类的产生, 防止水垢的附着。
防污自洁：分解油污,自清洁。
光触媒的特性
.安全性
作为食品药品添加剂，经过美国FDA认证，使用非常安全。
.持久性
由于光触媒只是提供了反应的场所，它本身并不参与化学反应，所以它的作用效果是持久的。
光触媒的应用
作者： 张金龙 定价： ¥ 20.00 元
出版社： 华东理工大学出版社 出版日期： 2004年12月
ISBN： 7-5628-1609-3/O112 开本： 16 开
类别： 物理化学,化学工程及设备,精细化工,材料科学 页数： 184 页
简介
本书作者根据近年来的研究结果并结合国内外最近的研究成果，着重介绍了集中于界面过程的多相光催化原理，分子和半导体底物中的电子激发过程，并着重阐述半导体催化剂的表面改性等.
目录
第一章 光催化中的电子过程
第二章 TiO2光催化剂的结构、表面性能及其制备
第三章 贵金属沉积对光催化活性的影响
第四章 复合半导体光催化剂
第五章 非金属掺杂光催化剂
第六章 光催化过程中的过渡金属离子
第七章 染料敏化二氧化钛光催化
第八章 分子筛中高分散催化剂的定域结构，激发态和光催化反应活性
第九章 非均相光催化
第十章 二氧化钛光催化膜
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1.1 半导体基础知识概念归纳 |
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本征半导体定义：纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 电流形成过程：自由电子在外电场的作用下产生定向移动形成电流。 绝缘体原子结构：最外层电子受原子核束缚力很强，很难成为自由电子。 绝缘体导电性：极差。如惰性气体和橡胶。 半导体原子结构：半导体材料为四价元素，它们的最外层电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚，也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧。 半导体导电性能：介于半导体与绝缘体之间。 |
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| 半导体的特点 | ||
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★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。 ★在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。 |
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晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。 共价键结构：相邻的两个原子的一对最外层电子（即价电子）不但各自围绕自身所属的原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，构成共价键。 自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子。 空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。 电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流。 空穴电流：价电子按一定的方向依次填补空穴（即空穴也产生定向移动），形成空穴电流。 本征半导体的电流：电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。 载流子：运载电荷的粒子称为载流子。 导体导电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。 本征半导体电的特点：本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。 本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。 复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。 动态平衡：在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，达到动态平衡。 载流子的浓度与温度的关系：温度一定，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。当温度升高时，热运动加剧，挣脱共价键束缚的自由电子增多，空穴也随之增多（即载流子的浓度升高），导电性能增强；当温度降低，则载流子的浓度降低，导电性能变差。 结论：本征半导体的导电性能与温度有关。半导体材料性能对温度的敏感性，可制作热敏和光敏器件，又造成半导体器件温度稳定性差的原因。 |
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杂质半导体：通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。 N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。 多数载流子：N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，称为多数载流子，简称多子。 少数载流子：N型半导体中，空穴为少数载流子，简称少子。 施子原子：杂质原子可以提供电子，称施子原子。 N型半导体的导电特性：它是靠自由电子导电，掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。 P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。 多子：P型半导体中，多子为空穴。 少子：P型半导体中，少子为电子。 受主原子：杂质原子中的空位吸收电子，称受主原子。 P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。 结论： ★多子的浓度决定于杂质浓度。 ★少子的浓度决定于温度。 |
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PN结的形成：将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。 PN结的特点：具有单向导电性。 扩散运动：物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。 空间电荷区：扩散到P区的自由电子与空穴复合，而扩散到N区的空穴与自由电子复合，所以在交界面附近多子的浓度下降，P区出现负离子区，N区出现正离子区，它们是不能移动，称为空间电荷区。 电场形成：空间电荷区形成内电场。 空间电荷加宽，内电场增强，其方向由N区指向P区，阻止扩散运动的进行。 漂移运动：在电场力作用下，载流子的运动称漂移运动。 PN结的形成过程：如图所示，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在无外电场和其它激发作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡，形成PN结。 |
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电位差：空间电荷区具有一定的宽度，形成电位差Uho，电流为零。 耗尽层：绝大部分空间电荷区内自由电子和空穴的数目都非常少，在分析PN结时常忽略载流子的作用，而只考虑离子区的电荷，称耗尽层。 |
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| PN结的单向导电性 | ||
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★P端接电源的正极，N端接电源的负极称之为PN结正偏。此时PN结如同一个开关合上，呈现很小的电阻，称之为导通状态。 ★P端接电源的负极，N端接电源的正极称之为PN结反偏，此时PN结处于截止状态，如同开关打开。结电阻很大，当反向电压加大到一定程度，PN结会发生击穿而损坏。 |
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伏安特性曲线：加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示： 正向特性：u>0的部分称为正向特性。 反向特性：u<0的部分称为反向特性。 |
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反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。 势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。 变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。如下图所示。
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平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。 非平衡少子：PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。 扩散电容：扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为Cd。 结电容：势垒电容与扩散电容之和为PN结的结电容Cj。 |
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．什么是导体、绝缘体、半导体？
容易导电的物质叫导体，如：金属、石墨、人体、大地以及各种酸、碱、盐的水溶液等都是导体。
不容易导电的物质叫做绝缘体，如：橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷、纯水、油、空气等都是绝缘体。
所谓半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。如：硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等。半导体大体上可以分为两类，即本征半导体和杂质半导体。本征半导体是指纯净的半导体，这里的纯净包括两个意思，一是指半导体材料中只含有一种元素的原子；二是指原子与原子之间的排列是有一定规律的。本征半导体的特点是导电能力极弱，且随温度变化导电能力有显著变化。杂质半导体是指人为地在本征半导体中掺入微量其他元素（称杂质）所形成的半导体。杂质半导体有两类：N型半导体和P型半导体。
2．半导体材料的特征有哪些？
（1） 导电能力介于导体和绝缘体之间。
（2） 当其纯度较高时，电导率的温度系数为正值，随温度升高电导率增大；金属导体则相反，电导率的温度系数为负值。
（3） 有两种载流子参加导电，具有两种导电类型：一种是电子，另一种是空穴。同一种半导体材料，既可形成以电子为主的导电，也可以形成以空穴为主的导电。
（4） 晶体的各向异性。
3．简述N型半导体。
常温下半导体的导电性能主要由杂质来决定。当半导体中掺有施主杂质时，主要靠施主提供电子导电，这种依靠电子导电的半导体叫做N型半导体。
例如：硅中掺有Ⅴ族元素杂质磷（P）、砷（As）、锑（Sb）、铋（Bi）时，称为N型半导体。
4．简述P型半导体。
当半导体中掺有受主杂质时，主要靠受主提供空穴导电，这种依靠空穴导电的半导体叫做P型半导体。
例如：硅中掺有Ⅲ族元素杂质硼（B）、铝（Al）、镓（Ga）、铟（In）时，称为P型半导体。
5．什么是半绝缘半导体材料？
定义电阻率大于107Ω*cm的半导体材料称为半绝缘半导体材料。
如：掺Cr的砷化镓，非掺杂的砷化镓为半绝缘砷化镓材料。
掺Fe的磷化铟，非掺杂的磷化铟经退火为半绝缘磷化铟材料。
6．什么是单晶、多晶？
单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则地排列，并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。
多晶则是有多个单晶晶粒组成的晶体，在其晶界处的颗粒间的晶体学取向彼此不同，其周期性与规则性也在此处受到破坏。
7．常用半导体材料的晶体生长方向有几种？
我们实际使用单晶材料都是按一定的方向生长的，因此单晶表现出各向异性。单晶生长的这种方向直接来自晶格结构，常用半导体材料的晶体生长方向是<111>和<100>。
规定用<111>和<100>表示晶向，用（111）和（100）表示晶面。
8．什么是电导率和电阻率？
所有材料的电导率（σ）可用下式表达：
σ=neμ
其中n为载流子浓度，单位为cm-3；e为电子的电荷，单位为C（库仑）；μ为载流子的迁移率，单位为cm2/V*s；电导率单位为S/cm（S为西门子）。
电阻率ρ=1/σ，单位为Ω*cm
9．PN结是如何形成的？它具有什么特性？
如果用工艺的方法，把一边是N型半导体另一边是P型半导体结合在一起，这时N型半导体中的多数载流子电子就要向P型半导体一边渗透扩散。结果是N型区域中邻近P型区一边的薄层A中有一部分电子扩散到P型区域中去了，如图2-6所示（图略）。薄层A中因失去了这一部分电子 而带有正电。同样，P型区域中邻近N型区域一边的薄层B中有一部分空穴扩散到N型区域一边去了，如图2-7所示（图略）。结果使薄层B带有负电。这样就在N型和P型两种不同类型半导体的交界面两侧形成了带电薄层A和B（其中A带正电，B带负电）。A、B间便产生了一个电场，这个带电的薄层A和B，叫做PN结，又叫做阻挡层。
当P型区域接到电池的正极，N型区域接到电池的负极时，漂移和扩散的动态平衡被破坏，在PN结中流过的电流很大（这种接法称为正向连接）。这时，电池在PN结中所产生的电场的方向恰好与PN结原来存在的电场方向相反，而且外加电场比PN结电场强，这两个电场叠加后电场是由P型区域指向N型区域的。因此，PN结中原先存在的电场被削弱了，阻挡层的厚度减小了，所以正向电流将随着外加正向电压的增加而迅速地上升。
当P型区域接到电池的负极，N型区域接到电池的正极时，在PN结中流过的电流很小（这种接法称为反向连接）。这是由于外加电压在PN结中所产生的电场方向是由N型区指向P型区，也即与原先在PN结中存在的电场方向是一致的。这两个电场叠加的结果，加强了电场阻止多数载流子的扩散运动，此时，阻挡层的厚度比原来增大，原来漂移和扩散的动态平衡也被破坏了，漂移电流大于扩散电流，正是这个电流造成反向漏电流。PN结的这种性质叫做单向导电性。
10．何谓PN结的击穿特性？
对PN结施加的反向偏压增大到某一数值时，反向电流突然开始迅速增大，这种现象称为PN结击穿。发生击穿时的反向偏压称为击穿电压，以VB表示。击穿现象中，电流增大基本原因不是由于迁移率的增大，而是由于载流子数目的增加。到目前为止，基本上有三种击穿机构：热电击穿、雪崩击穿和隧道击穿。从击穿的后果来看，可以分为物理上可恢复的和不可恢复的击穿两类。热电击穿属于后一类情况，它将造成PN结的永久性损坏，在器件应用时应尽量避免发生此类击穿。雪崩击穿和隧道击穿属于可恢复性的，即撤掉电压后，在PN结内没有物理损伤。
11．试述什么是光电二极管。
当光照到PN结上时，光能被吸收进入晶格，使电子的能级提高，这就导致某些电子脱离它们的原子，因此产生了自由电子与空穴。在光电导光电二极管中，在PN结上加一反向电压，由光能在结构附近产生了电子与空穴，它们被电场吸引从相反的方向穿过结形成电流，电流从负载电阻流出产生了输出信号。光的强度越高，产生的空穴与自由电子就越多，电流也就越大。没有光时，电流只有PN结的小的反向漏电流，这种电流称为暗电流。
12．何谓欧姆接触？
金属与半导体间没有整流作用的接触称为欧姆接触。实际上的欧姆接触几乎都是采用金属-N+N半导体或金属-P+P半导体的形式制成的。在这种接触中，金属与重掺杂的半导体区接触，接触界面附近存在大量的复合中心，而且电流通过接触时的压降也往往小到可以不计。
制造欧姆接触的方法有两种。如果金属本身是半导体的施主或受主元素，而且在半导体中有高的固溶度，就用合金法直接在半导体中形成金属-N+或金属-P+区。如果金属本身不是施主或受主元素，可在金属中掺入施主或受主元素，用合金法形成欧姆接触。另一种方法是在半导体中先扩散形成重掺杂区，然后使金属与半导体接触，形成欧姆接触。
13．迁移率表示什么？
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要因素。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。迁移率大小不仅关系着导电能力的强弱，而且直接决定载流子运动的快慢。它对半导体器件工作速度有直接的影响。不同的材料，电子和空穴的迁移率是不同的。载流子的迁移率是随温度而变化的。这对器件的使用性能有直接的影响。载流子的迁移率受晶体散射和电离杂质散射的影响。载流子的迁移率与晶体质量有关，晶体完整性好，载流子的迁移率高。
14．什么是方块电阻？
我们知道一个均匀导体的电阻R正比于导体的长度L，反比于导体的截面积S。如果这个导体是一个宽为W、厚度为d的薄层，则
R=ρL/dW=（ρ/d）（L/W）
可以看出，这样一个薄层的电阻与（L/W）成正比，比例系数为（ρ/d）。这个比例系数就叫做方块电阻，用R□表示：
R□=ρ/d
R= R□（L/W）
R□的单位为欧姆，通常用符号Ω/□表示。从上式可以看出，当L=W时有R= R□，这时R□表示一个正方形薄层的电阻，它与正方形边长的大小无关，这就是取名方块电阻的原因。
15．什么是晶体缺陷？
晶体内的原子是按一定的原则周期性地排列着的。如果在晶体中的一些区域，这种排列遭到破坏，我们称这种破坏为晶体缺陷。晶体缺陷对半导体材料的使用性影响很大，在大多数情况下，它使器件性能劣化直至失效。因此在材料的制备过程中都要尽量排除缺陷或降低其密度。晶体缺陷的控制是材料制备的重要技术之一。
晶体缺陷的分类：
（1） 点缺陷，如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷和由它们构成的复合体。
（2） 线缺陷，呈线状排列，如位错就是这种缺陷。
（3） 面缺陷，呈面状，如晶界、堆垛层错、相界等。
（4） 体缺陷，如空洞、夹杂物、杂质沉淀物等。
（5） 微缺陷，几何尺寸在微米级或更小，如点缺陷聚集物、微沉淀物等。
16．什么是错位？
当一种固体材料受到外力时就会发生形变，如果外力消失后，形变也随着消失，这种形变称为弹性形变；如果外力消失后，形变不消失。则称为范性形变。位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。
17．什么是层错？
简单的说，层错是在密排晶面上缺少或多余一层原子而构成的缺陷，层错是一种“面缺陷”。层错也是硅晶体中常见的一种缺陷，层错对器件制备工艺以及成品性能都可以发生较大的影响。生产中最熟悉的是硅外延片中的层错。在硅外延生长时，如果不采取特殊的措施，生长出的外延层中将含有大量的层错，以致严重的破坏了晶体的完整性。通过研究发现，外延片中的层错主要起源于生长外延层的衬底晶体的表面。根据这个原因，不仅找到了克服层错大量产生的途径，而且发现利用层错测量外延层的厚度的方法。
18．材料的常用表征参数有哪些？
电学参数、化学纯度、晶体学参数、几何尺寸。
电学参数包括电阻率、导电类型、载流子浓度、迁移率、少数载流子寿命、电阻率均匀性等。
化学纯度是指材料的本底纯度。
晶体学参数有晶向、位错密度。
几何尺寸包括直径、晶片的厚度、弯曲度、翘曲度、平行度和抛光片的平坦度等
《现代化学与应用丛书:光催化》编辑推荐：随着近年来纳米技术的发展，二氧化钛光催化剂因其高活性、低成本、稳定性好而引起人们极大的重视，使光催化的研究进入了一个新的阶段，有关文献资料也随之增多。自《光催化》第一版出版以来，它受到了广大读者的欢迎。我们结合近几年在光催化领域所做的研究工作，编写《现代化学与应用丛书:光催化》，是为了满足从事光催化研究和开发的科研人员和大学相关专业师生的要求。
《现代化学与应用丛书:光催化》的编写，既参阅了国内外有关光催化专著和文献资料，也融进了我们在光催化领域的最新研究结果。《现代化学与应用丛书:光催化》对光催化的基本概念，光催化机理，对各类光催化材料的制备条件、表面改性以及与吸附分子之间的相互作用等均作了较全面的论述。
第一章光催化荆的结构、机理及其制备
1.1二氯化钛光化剂的发展历史
1.2光催化机理研究
1.2.1光催化反应机理
1.2.2光致亲水性机理
1.3光催化活性的影响因素
1.3.1晶型
1.3.2粒径
1.3.3缺陷
1.4纳米二氧化钛的应用
1.4.1在空气净化方面的应用
1.4.2在抗菌、除臭方面的应用
1.4.3在制备氢气方面的应用
1.4.4在太阳能电池方面的应用
1.4.5在防雾、自清洁方面的应用
1.4.6在废水处理方面的应用
1.5缩米二氧化钛粉体的制备
1.5.1气相法
1.5.2液相法
1.6新型光健化捌
1.6.1钙钛矿型光催化剂
1.6.2层状金属氧化物光催化剂
1.6.3隧道结构化合物光催化剂
1.7新型秘系氧化物光催化剂
1.7.1几种重要的铋系三元氧化物介绍
1.7.2铋系化合物传统的合成方法
1.7.3传统制备方法存在的问题
1.7.4低温制备方法的发展
参考文献
第二章纳米TiO2光催化剂的改性方法
2.1 复合半导体
2.2 染料光敏化
2.3 贵金屑沉积
2.4 金属离子的掺杂
2.5 非金属掺杂
2.5.1 氮的掺杂
2.5.2 碳的掺杂
2.5.3 硼的掺杂
2.5.4 硫的掺杂
2.5.5 卤素的掺杂
2.6 多元共掺杂改性TiO2光催化的研究进展
2.6.1 两种金属离子共掺杂改性
2.6.2 两种非金属离子共掺杂改性
2.6.3 金属与非金属共掺杂改性
参考文献
第3章 光催化剂的贵金属沉积改性
3.1 贵金属沉积改性原理
3.2 贵金属沉积TiO2光催化剂的制备方法
3.2.1 湿浸渍法（wet impregnation）
3.2.2 沉积—沉淀法（deposition—precipitation）
3.2.3 共沉淀法（co—precipitation）
3.2.4 溶胶—凝胶法（sol—gel）
3.3 Au（S2O3）23—前驱体制备Au／TiO2光催化剂
3.3.1 光催化剂的制备与测试方法
3.3.2光吸收特性
3.3.3 X射线衍射图谱
3.3.4 X射线光电子能谱
3.3.5 AAS和TEM分析
3.3.6 制备方法对光催化活性的影响
3.3.7 制备工艺对Au／TiO2光催化活性的影响
3.3.8 焙烧温度对Au／TiO2光催化活性的影响
3.3.9 机理分析
3.4 化学沉积法制备Ag／TiO2光催化剂
3.4.1 催化剂的制备
3.4.2 催化剂的表征
3.4.3 银沉积量对光催化活性的影响
3.5 浸渍还原法制备Pt／TiO2光催化剂
3.5.1 光催化剂的制备
3.5.2 光催化剂的表征和活性测试方法
3.5.3 XPS表征
3.5.4 负载贵金属后的光催化活性和选择性
3.5.5 不同负载方法对光催化活性和选择性的影响
3.5.6 结论
参考文献
第4章 复合半导体光催化剂
4.1 复合半导体的模型结构
4.2 CdS半导体的光电性能与光腐蚀过程
4.3 CdS—TiO2复合半导体的电子传输机理
4.4 CdS—TiO2复合半导体的合成方法
4.4.1 溶胶混合法
4.4.2原位合成法
4.4.3 化学沉积法
4.4.4 反胶束法
4.5 反胶束法的优势及采用反胶束法合成纳米粒子
4.5.1 纳米反应器理念
4.5.2 反胶束法的合成机理
4.5.3 反胶束体系的反应类型
4.5.4 反胶束体系的胶束尺寸计算方法
4.6 反胶束法合成CdS—TiO2复合半导体
4.6.1 实验制备和表征
……
第5章纳米二氧化钛光催化材料的制备技术
第6章光催化过程中的过渡金属离子
第7章有机物改性的敏化光催化
第8章引人多孔分子筛中的金属氧化物的结构及光催化性能
第9章非均相光催化
第10章具有光催化和超亲水特性的二氧化钛薄膜
作者:(意)卡洛·阿尔贝特·比尼奥齐主编；张光晋，贺涛